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칩 스태킹 공정에서 TSV(관통 실리콘 비아) 내 구리의 열팽창으로 인한 돌출(구리 펌핑) 현상은 반도체 칩의 신뢰성을 저하시키는 주요 원인입니다. 특히 고온 공정에서 발생하는 이러한 문제는 BEOL 층 손상으로 이어질 수 있습니다. 본 기술은 이러한 구리 돌출 현상을 사전에 예측하여 칩 스태킹 공정의 신뢰성을 확보하고 불량률을 감소시키는 혁신적인 시스템 및 예측 방법을 제공합니다. TSV의 초기 형상, 구리 결정립 정보, 열처리 조건 등 다양한 데이터를 입력받아, 구리 결정립 성장률 및 열변형을 정밀하게 시뮬레이션하여 구리 돌출량을 예측합니다. 이 시스템은 시뮬레이션 결과를 시각화하여 제공함으로써, 반도체 제조 공정 최적화에 기여하고 잠재적인 불량을 미연에 방지할 수 있습니다. 본 기술을 통해 고품질 반도체 생산에 기여하고 불량률을 획기적으로 낮출 수 있습니다.

기존 딥 코팅 방식은 균일한 코팅막 형성을 위해 고속회전이 필요하며, 고르지 않은 표면에는 적용이 어렵다는 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하고자 멤브레인을 활용한 딥 코팅 장치 및 시스템을 제안합니다. 관통홀에 형성되는 멤브레인을 통해 고속회전 없이도 코팅 대상체 표면에 균일한 코팅막을 형성할 수 있습니다. 또한, 코팅 대상체 표면이 고르지 않더라도 균일한 코팅이 가능하며, 관통홀의 면적 조절을 통해 코팅막의 두께를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이는 다양한 산업 분야에서 고품질 코팅 공정의 효율성을 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다.