기존 p형 양자점 제조 방식은 독성 중금속(Cd) 사용과 복잡한 후속처리 공정으로 인해 환경 문제와 생산 효율성 저하라는 한계를 안고 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하고자 독성이 적은 아연(Zn)을 도핑하여 친환경 p형 양자점을 개발하고, 이를 간편하게 제조하는 방법을 제시합니다. 본 발명은 복잡한 후속처리 공정 없이 단 한 번의 합성으로 양자점을 제조할 수 있어 생산 효율이 획기적으로 개선됩니다. 또한, 아연 함량 조절을 통해 양자점의 도핑 정도와 전기적 특성을 정밀하게 제어하며, 표면 결함까지 제거하여 우수한 전기적 및 광학적 특성을 확보합니다. 이 아연 도핑 p형 양자점은 태양전지, 고휘도 LED, 바이오 센서 등 다양한 차세대 전자 소자에 폭넓게 적용 가능합니다. 친환경적이면서도 고성능을 제공하는 본 기술은 미래 반도체 산업의 핵심 기반이 될 것으로 기대됩니다.