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기존 양자점은 카드뮴 등 독성 중금속 사용과 복잡한 제조 공정으로 환경 문제 및 상용화에 어려움이 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해 아연(Zn)을 도핑한 p-형 양자점 및 그 제조 방법을 제안합니다. 독성 물질 없이 단 한 번의 합성을 통해 환경 친화적으로 p-형 양자점을 제조할 수 있으며, 페르미 준위 및 정공 밀도를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이를 통해 우수한 전기적, 광학적 특성을 가진 양자점을 생산하여 솔라셀, LED, 바이오 센서 등 다양한 전자 소자 분야에 혁신적인 솔루션을 제공합니다.
기술명 | |
아연이 도핑된 양자점 및 이의 제조 방법 | |
기관명 | |
성균관대학교산학협력단서강대학교산학협력단 | |
대표 연구자 | 공동연구자 |
강문성 | - |
출원번호 | 등록번호 |
1020210178597 | 1027202070000 |
권리구분 | 출원일 |
특허 | 2021.12.14 |
중요 키워드 | |
III-V족 화합물양자점 제조법전자소자 핵심소재에너지 효율 소자정공 밀도 제어아연 도핑 양자점양자점 응용 분야페르미 준위 조절차세대 디스플레이친환경 양자점카드뮴 프리 기술비독성 양자점p형 반도체단순 합성 공정광전 변환 소자반도체소자무기화학 |
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