김상완

김상완 교수는 서강대학교 전자공학전공 교수로, 차세대 반도체 및 메모리 소자 연구의 선두 주자입니다. 특히 저전력 반도체, 터널 전계효과 트랜지스터(TFET), SiGe 기반 소자 개발 및 TCAD 시뮬레이션 활용 연구에 집중하고 있습니다. 교수님의 연구는 미래 전자 시스템의 성능 향상과 에너지 효율 증대에 기여하며, 다수의 국책 및 산학 연구 과제와 특허를 통해 그 역량을 입증하고 있습니다. 혁신적인 기술 개발에 대한 깊이 있는 통찰을 본 프로필에서 확인하실 수 있습니다.

[연구 분야] 핵심 분야: 차세대 반도체 소자 및 저전력 기술 세부 분야: 메모리 소자, FET (전계효과 트랜지스터), SiGe 기반 소자, TCAD 시뮬레이션, 강유전체 트랜지스터, 디램(DRAM), GAA TFET, Negative Capacitance 소자, 스마트 배선 기술, 전자시스템 신뢰성 [대표 연구 내용] 인공지능 및 빅데이터 시대가 도래하면서 고성능, 저전력 반도체 소자에 대한 요구가 증대되고 있습니다. 특히 모바일 기기와 IoT 장치의 확산은 전력 효율이 극대화된 차세대 반도체 기술 개발의 필요성을 더욱 부각시키고 있습니다. 본 연구는 이러한 문제 인식을 바탕으로, 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 반도체 소자 기술 개발에 집중하고 있습니다. 주요 성과는 다음과 같습니다. 첫째, SiGe (실리콘-게르마늄) 이종접합 구조를 활용한 저전력 트랜지스터 및 GAA TFET (Gate-All-Around Tunnel Field-Effect Transistor) 개발입니다. 이는 게이트-올-어라운드 구조를 통해 전류 제어 능력을 향상시키고 누설 전류를 최소화하여 전력 소모를 획기적으로 줄입니다. 둘째, Negative Capacitance 현상을 이용한 차세대 로직 및 메모리 반도체 소자 연구입니다. 이 기술은 낮은 전압에서도 높은 스위칭 효율을 제공하여, 향후 초저전력 컴퓨팅 환경 구축에 필수적인 요소로 작용할 것입니다. 마지막으로, TCAD 시뮬레이션을 활용한 반도체 소자 설계 및 최적화 연구는 실제 소자 제작 이전에 다양한 파라미터 변화에 따른 특성을 예측하고 개선함으로써 개발 시간과 비용을 절감하는 데 기여하고 있습니다. 이러한 연구들은 고성능, 저전력 반도체가 필요한 모바일, 웨어러블 기기, AI 하드웨어, 데이터 센터 등 다양한 분야에서 핵심적인 경쟁 우위를 제공할 것입니다. 특히, 개발된 기술들은 전력 소모를 최소화하면서도 연산 능력을 극대화하여, 인공지능 시대의 에너지 효율적인 시스템 구현에 기여하고 관련 산업의 기술 혁신을 주도할 잠재력을 가지고 있습니다.

2001-2006 Seoul National University, EE, BS 2006-2008 Seoul National University, EECS, MS 2008-2014 Seoul National University, EECS, PhD