기술이전 상세 정보를 불러오는 중입니다...
기존 폰 노이만 컴퓨팅 방식의 한계와 게이트 전압 기반 시냅스 트랜지스터의 높은 소비 전력 및 낮은 전송 속도 문제가 지적되어 왔습니다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하고자 광을 통해 시냅스 특성을 구현하는 혁신적인 광 시냅스 트랜지스터 및 그 제조방법을 제안합니다. 특히, 별도의 전자트랩부를 적용하여 광 생성 전자의 재결합을 억제함으로써 광전류를 크게 향상시키고 메모리 상태를 장기간 유지하는 것이 가능합니다. 이를 통해 인간 뇌의 에너지 효율을 뛰어넘는 0.01375fJ의 초저전력으로 뉴로모픽 컴퓨팅을 구현할 수 있으며, PPF, STP, LTP 등 다양한 시냅스 효과를 입증했습니다. 또한 스핀 코팅과 같은 간단한 용액 공정으로 대량 생산이 가능하여 향후 뉴로모픽 반도체 시장의 핵심 기술로 기여할 것으로 기대됩니다.
기술명 | |
광 시냅스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
기관명 | |
서강대학교산학협력단 | |
대표 연구자 | 공동연구자 |
윤광석 | - |
출원번호 | 등록번호 |
1020220149341 | 1026887330000 |
권리구분 | 출원일 |
특허 | 2022.11.10 |
중요 키워드 | |
광전류 향상용액 공정엣지 AI 반도체인공지능 반도체초저전력 소자시냅스 소자인간 뇌 모방TIPS 펜타센광 시냅스 트랜지스터페로브스카이트스핀 코팅뉴로모픽 반도체전자트랩부에너지 효율메모리 상태 유지인공지능 |
기술이전 상담신청
연구자 미팅
기술이전 유형결정
계약서 작성 및 검토
계약 및 기술료 입금
보유 기술 로딩 중...
인기 게시물 로딩 중...