우주, 원자력 발전소, 의료 및 보안 기기 등 방사선 노출 환경에서 전자기기의 성능 저하 및 수명 단축은 심각한 문제로 대두되고 있습니다. 기존 실리콘 기반 소자는 이러한 극한 환경에서 안정적인 구동에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제 해결을 위해 ZITO(zinc-indium-tin oxide)를 함유하는 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물과 그 제법 및 용도를 제안합니다. 이 ZITO 기반 반도체는 양성자선, 감마선, 엑스선 등 다양한 전리 방사선에 대해 뛰어난 저항성을 발휘합니다. 특히, Zn:In:Sn의 최적 조성비(4~2:1:1)를 통해 방사선에 의한 산소 빈격자점(oxygen vacancy) 생성을 억제하고, 소자의 전기적 특성 변화를 최소화하여 장치 수명 및 신뢰성을 획기적으로 향상시킵니다. 이 기술이 적용된 박막 트랜지스터(TFT) 및 전자기기는 우주 항공, 원자력, 의료 진단 및 보안 분야 등 고신뢰성이 필수적인 환경에서 안정적인 작동을 보장하며, 플렉서블 디스플레이 등 차세대 전자기기에도 광범위하게 활용될 수 있습니다. 본 발명은 극한 환경용 전자기기 개발에 새로운 지평을 열어줄 것입니다.