서강대학교 기술이전 플랫폼

반도체소자 외

주석 함유 산화물 이용, 방사선 내구성 반도체 개발

기술분야

내방사선 금속산화물 반도체

판매 유형

직접 판매

판매 상태

판매 중

거래방식

공동연구

라이센스

특허판매

노하우

AI 요약

우주, 원자력 발전소 등 고방사선 환경에서 전자기기 오작동 및 성능 저하가 심각한 문제입니다. 본 발명은 방사선에 의한 반도체 소자 특성 변화의 핵심 원인인 산소 빈격자점 생성을 억제하는 혁신적인 금속산화물 반도체 소재 선별 방법을 제공합니다. 특히, 주석(Sn)을 함유한 산화물 반도체 소재(예: ZTO)가 탁월한 방사선 저항성을 가짐을 밝혀냈습니다. 이 기술을 적용하여 개발된 고내구성 박막 트랜지스터(TFT) 및 전자기기는 극한 방사선 환경에서도 안정적인 작동을 보장하여, 전자기기 수명 연장과 신뢰성 향상에 크게 기여할 수 있습니다.

기본 정보

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기술명
방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재, 이의 선별방법 및 전자기기의 방사선 내구성 평가방법
기관명
서강대학교산학협력단중앙대학교 산학협력단
대표 연구자	공동연구자
김충익	-
출원번호	등록번호
1020180001374	1020756660000
권리구분	출원일
특허	2018.01.04
중요 키워드
우주 전자장치주석 함유 산화물방사선 내구성고방사선 환경내구성 평가산소 원자결함전자기기 오작동 방지금속산화물 반도체양성자 조사원자력 발전소산화물 TFT박막 트랜지스터방사선 저항성 반도체ZTO 소재반도체 선별방법반도체소자방사선기술

기술완성도 (TRL)

기본원리 파악

기본개념 정립

기능 및 개념 검증

연구실 환경 테스트

유사환경 테스트

파일럿 현장 테스트

상용모델 개발

실제 환경 테스트

사업화 상용운영

기본원리 파악

기본개념 정립

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연구실 환경 테스트

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담당자서강대학교산학협력단

이메일tlo@sogang.ac.kr

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기존 트랜지스터는 외부 환경(금속 이온, 기체)에 취약하여 성능 저하 및 불안정성 문제가 있었습니다. 특히 고온 진공 공정의 높은 비용과 유연 기판 적용의 어려움도 존재했습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하고자 도핑된 유기물 박막을 포함하는 혁신적인 트랜지스터 기술을 제안합니다. 이 기술은 유기물층에 도핑을 적용하여 금속 이온 침투 및 외부 기체 유입을 효과적으로 차단하며, 동시에 전하 전달을 원활하게 하여 소자의 전기적 특성을 정교하게 조절합니다. 저온 용액 공정으로 제작 가능하여 기존 공정의 단점을 보완합니다. 실제 실험을 통해 구리 이온 침투 저해, 향상된 전기적 및 환경적 안정성, 현저히 개선된 접촉 저항, 그리고 이동도, 문턱전압, 점멸비 등 전반적인 소자 특성 제어 효과가 입증되었습니다. 이 기술은 디스플레이, 반도체, 태양전지 등 다양한 전자소자에 응용되어 고성능 및 고안정성 소자 구현에 크게 기여할 것입니다.

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