기술이전

기존 전기기계 소자 패키징은 칩 면적 감소에 따른 성능 저하와 금속 배선층 손상으로 인한 구조적 불안정성 문제를 겪고 있습니다. 본 기술은 이러한 한계를 극복하기 위해 고집적 3차원 집적이 가능한 전기기계 소자 패키지 및 그 제조 방법을 제안합니다. 특히, 금속 배선층에 영향을 주지 않으면서 활성 영역을 진공 패키징하며, TEOS 기반으로 CMOS 공정 호환성을 극대화합니다. 또한, 낮은 금속 배선층으로도 높은 집적도를 구현하고 기존 CMOS 공정을 활용하여 저비용으로 제조 가능합니다. 이 기술은 구조적으로 안정된 CMOS-NEM 재구성 로직을 구현하며, 외부 환경으로부터 소자를 보호하는 진공 패키징을 통해 뛰어난 내구성을 제공합니다. 이를 통해 저전력, 고집적, 고성능의 반도체 소자 개발에 크게 기여할 수 있습니다.

기존 구형 도파관은 고주파 대역에서 전자기파 세기 불균형 및 전력 증폭기 배치 한계로 시스템 성능 저하 문제를 겪었습니다. 본 H-평면 확장 구형 도파관 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위해 개발되었습니다. 이 기술은 도파관 확장부와 금속 기둥, 그리고 확장 모드 생성부의 금속판 및 요철 구조를 특징으로 합니다. 이를 통해 H-평면 내 전기장 분포의 불균형성을 최소화하고, TE10 기본 모드를 안정적으로 유지할 수 있습니다. 결과적으로 더 많은 전력 증폭기(PCB 기판) 배치가 가능해져 고출력 전력 증폭 모듈 구현을 돕습니다. Ka-대역 등 고주파 시스템에서 효율적인 전력 결합과 탁월한 성능 향상을 제공하여, 다양한 밀리미터파 및 테라헤르츠 응용 분야에 혁신적인 기여를 합니다.

기존 전력 변환 장치는 인덕터 전류 불균형 해결을 위해 복잡하고 비용이 높은 전류 센싱 방식을 사용하며, 이는 스위칭 주파수 제한과 느린 응답 특성을 야기합니다. 이러한 문제점을 해결하고자 본 기술은 별도의 전류 센싱 장치 없이도 인덕터 전류의 불균형을 획기적으로 해결하는 전력 변환 장치 및 그 동작 방법을 제안합니다. 본 장치는 정교한 스위치, 인덕터, 커패시터 제어를 통해 입력 전압 에너지를 효율적으로 충전 및 전달하며, 인덕터 전류의 균형을 자동으로 맞춥니다. 이로써 전력 변환 장치의 구조를 단순화하고 크기를 소형화하여, 모바일 기기 등 다양한 분야에서 고성능 전력 관리 솔루션을 제공합니다. 비용 효율적이며 응답성이 뛰어난 차세대 전력 변환 기술을 경험해 보십시오.

기존 도파관 모드 변환기는 복잡한 구조와 수직 배치로 인해 제조의 어려움과 낮은 효율 문제를 겪었습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하고자 TE10 모드를 TE01 모드로 변환하는 고효율 도파관 모드 변환기를 개발하였습니다. 이 변환기는 복수의 도파관을 일직선으로 결합하여 소형화 및 간편한 모듈 연결이 가능하며, 89.1%에 달하는 우수한 TE01 모드 변환 효율을 제공합니다. 이는 방사형 전력분배기, 통신 시스템, 안테나 피드 등 다양한 고주파 응용 분야에서 전력 손실을 최소화하고 성능을 극대화하는 데 기여할 것입니다. 지금 바로 본 기술을 통해 혁신적인 고주파 시스템을 구축하시기 바랍니다.

기존 고주파 전송선로의 높은 신호 손실과 도파관 및 단일 금속선로 간의 모드 불일치는 차세대 통신 시스템 개발에 난제로 작용하고 있습니다. 본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 고안된 '금속선 모드 변환기' 기술입니다. 이 모드 변환기는 도파관의 전자기파 모드 신호를 단일 금속선로의 모드 신호로 효율적으로 변환하며, 특히 밀리미터파 및 테라헤르츠 대역에서 낮은 손실로 고속 신호 전송을 가능하게 합니다. 그라운드 면을 제거하여 유전 및 저항 손실을 크게 줄이고, 회로 소형화에 기여하여 차세대 고성능 통신 및 의료 분야 시스템 구축에 필수적인 핵심 기술로 활용될 수 있습니다.

다채널 방사선 검출기는 수많은 신호 처리로 인해 회로 복잡성과 비용 증가 문제를 겪고 있으며, 기존 멀티플렉싱 회로도 출력 신호를 4개까지밖에 줄이지 못했습니다. 본 발명은 이러한 한계를 넘어, 다채널 실리콘 광센서의 방대한 출력 신호를 단 3개로 획기적으로 줄이는 멀티플렉싱 회로 기술을 제안합니다. 이 기술은 위치 및 총 에너지 정보를 효율적으로 얻어 회로 구성의 단순화를 가능하게 합니다. 양전자방출단층촬영장치(PET) 등 방사선 영상기기의 성능 향상 및 개발 비용 절감에 크게 기여할 것입니다.