기존 전기기계 소자 패키징은 칩 면적 감소에 따른 성능 저하와 금속 배선층 손상으로 인한 구조적 불안정성 문제를 겪고 있습니다. 본 기술은 이러한 한계를 극복하기 위해 고집적 3차원 집적이 가능한 전기기계 소자 패키지 및 그 제조 방법을 제안합니다. 특히, 금속 배선층에 영향을 주지 않으면서 활성 영역을 진공 패키징하며, TEOS 기반으로 CMOS 공정 호환성을 극대화합니다. 또한, 낮은 금속 배선층으로도 높은 집적도를 구현하고 기존 CMOS 공정을 활용하여 저비용으로 제조 가능합니다. 이 기술은 구조적으로 안정된 CMOS-NEM 재구성 로직을 구현하며, 외부 환경으로부터 소자를 보호하는 진공 패키징을 통해 뛰어난 내구성을 제공합니다. 이를 통해 저전력, 고집적, 고성능의 반도체 소자 개발에 크게 기여할 수 있습니다.