김광수

김광수 교수님은 서강대학교 전자공학전공 소속으로, 반도체 소자 분야의 깊이 있는 연구를 수행하고 계십니다. 특히, MOSFET, SiC 전력 반도체, 산화물 TFT 등 차세대 전력 및 시스템 반도체 소자 개발에 주력하시어 관련 기술 발전에 크게 기여하고 계십니다. 교수님의 연구는 소자-회로 연계 신뢰성 해석, 고효율 전력반도체 설계, 트렌치 구조 기반의 소자 제조 방법에 이르기까지 광범위합니다. 다수의 국내외 특허 출원 및 등록을 통해 그 기술력을 입증하셨으며, EV/HEV용 반도체와 같은 미래 기술 분야에도 활발히 참여하고 계십니다. 본 프로필은 교수님의 핵심 연구 역량과 성과를 한눈에 파악할 수 있도록 상세히 정리하였습니다.

[연구 분야] 핵심 분야: 반도체 소자 및 전력 전자 세부 분야: MOSFET, TFT, SiC 반도체, 센서 및 신호 처리, 에너지 변환 소자 [대표 연구 내용] 문제 정의: 고성능 및 고효율 반도체 소자는 현대 전자기기 및 전력 시스템의 핵심이지만, 기존 소자들은 전력 손실, 발열, 스위칭 속도 등의 한계를 가집니다. 특히 전기차(EV) 및 하이브리드 전기차(HEV)용 고효율 전력 반도체는 더욱 높은 성능과 신뢰성을 요구합니다. 기술 우위: 본 연구는 MOSFET, IGBT, SiC 기반의 전력 반도체 소자 설계 및 제조 방법에 대한 심도 깊은 연구를 수행합니다. 특히 트렌치 구조, 쉴딩 패턴, 플로팅 도전 패턴 등을 활용하여 온저항 감소, 항복 전압 향상, 다이나믹 특성 개선 등 소자 성능을 극대화하는 독자적인 기술을 개발했습니다. 예를 들어, 특정 MOSFET 소자 기술은 드리프트층과 게이트 패턴을 최적화하여 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 데 기여합니다. 사업 가치: 이러한 고효율, 고신뢰성 전력 반도체 기술은 EV/HEV, 전력 변환 장치, 신재생 에너지 시스템 등 다양한 산업 분야에 적용 가능합니다. 개발된 소자는 시스템의 전력 효율을 향상시키고, 소형화 및 경량화를 가능하게 하여 제품 경쟁력을 강화하며, 장기적으로 에너지 절감 및 환경 보호에 기여할 수 있습니다.