기존 반도체 소자의 면적 손실, 성능 및 수율 저하 문제를 해결하기 위한 혁신적인 기술이 요구됩니다. 본 발명은 저전력, 고집적, 고성능 구현에 최적화된 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제안합니다. 소스, 드레인, 게이트 전극의 첨단을 뾰족하게 형성하여 낮은 동작 전압으로 높은 온오프 비율과 낮은 오프 전류 특성을 달성합니다. 특히, 복잡한 공정 없이 간단한 방식으로 뾰족한 전극을 제작할 수 있어, 차세대 저전력 임베디드 메모리 칩 시장의 요구를 효과적으로 충족시키는 데 기여할 것입니다.