기존 CMOS 기반 내용 주소화 기억 장치(CAM)는 트랜지스터 수가 많아 저전력 및 고집적화에 한계가 있었습니다. 본 발명은 5-터미널 나노전자기계소자(NEM)를 활용하여 CAM 단위 셀의 트랜지스터 수를 획기적으로 줄이는 혁신 기술입니다. 이를 통해 메모리 집적도를 향상시키고 전력 소모를 대폭 감소시켰습니다. 빅데이터 및 인공지능 시대에 필수적인 초고속 병렬 처리 성능을 제공하여, 차세대 고성능 기억 장치 개발에 크게 기여할 것으로 기대됩니다.