반도체 기술은 무어의 법칙 한계와 CMOS의 전력 효율 문제에 직면해 있으며, 특히 차세대 3진법 연산 소자는 기존 NDT/NDR 방식의 고전압 및 낮은 성능 문제가 있었습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하고자, 소스-게이트 오버랩 영역을 활용하여 음성 트랜스 컨덕턴스(NDT)를 구현한 혁신적인 터널링 트랜지스터를 개발하였습니다. 이 기술은 게이트 전압 증가 시 전류 흐름이 감소하는 NDT 효과를 통해, 10nm 미만의 초소형 소스/드레인, 4nm 미만 고유전체층, 2nm 미만 에피텍셜층 등 나노 스케일의 정교한 구조로 저전력, 고성능 3진법 반도체 구현을 가능하게 합니다. 기존 트랜지스터의 물리적 한계를 뛰어넘어 차세대 인공지능, IoT, 저전력 컴퓨팅 분야에 새로운 가능성을 제시합니다. 서강대학교산학협력단이 개발한 본 기술은 미래 반도체 산업의 핵심이 될 것입니다.